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ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials
ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials
召开年:
2011
召开地:
Cleveland, OH(US);Cleveland, OH(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Reliable Operation of 1200-V SiC Vertical Junction-Field-Effect-Transistor Subjected to 16,000-Pulse Hard Switching Stressing
机译:
承受16,000脉冲硬开关应力的1200V SiC垂直结场效应晶体管的可靠工作
作者:
K. Lawson
;
G. Alvarez
;
S. B. Bayne
;
V. Veliadis
;
H. C. Ha
;
D. Urciuoli
;
C. Scozzie
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
JFET;
4H-SiC;
vertical channel;
normally-ON;
1200-V;
bidirectional;
fault isolation;
four quandrant;
2.
690V, 1.00mΩcm~2 4H-SiC Double-Trench MOSFETs
机译:
690V,1.00mΩcm〜2 4H-SiC双沟道MOSFET
作者:
Y. Nakano
;
R. Nakamura
;
H. Sakairi
;
S. Mitani
;
T. Nakamura
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
trench;
4H-SiC;
MOSFET;
avalanche energy;
TDDB;
3.
SiC MOSFET Reliability Update
机译:
SiC MOSFET可靠性更新
作者:
Mrinal K. Das
;
Sarah Haney
;
Jim Richmond
;
Anthony Olmedo
;
Jon Zhang
;
Zoltan Ring
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
MOS-capacitor;
MOSFET;
gate oxide;
reliability;
TDDB;
HTGB;
Q_(BD);
MTTF;
4.
High Temperature Performance of 3C-SiC MOSFETs with High Channel Mobility
机译:
具有高沟道迁移率的3C-SiC MOSFET的高温性能
作者:
Hidetsugu Uchida
;
Akiyuki Minami
;
Toyokazu Sakata
;
Hiroyuki Nagasawa
;
Motoki Kobayashi
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
MOSFET;
high temperature performance;
channel mobility;
on-current;
leakage current;
activation energy;
5.
Dependence of the Channel Mobility in 3C-SiC n-MOSFETs on the Crystal Orientation and Channel Length
机译:
3C-SiC n-MOSFET的沟道迁移率对晶体取向和沟道长度的依赖性
作者:
Bernd Zippelius
;
Martin Hauck
;
Svetlana Beljakowa
;
Heiko B. Weber
;
Michael Krieger
;
Hiroyuki Nagasawa
;
Hidetsugu Uchida
;
Gerhard Pensl
;
Adolf Schoner
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC n-MOSFET;
channel mobility;
anisotropy;
stacking faults;
contact resistance;
wafer warping;
6.
Improved energy efficiency using an IGBT/SiC-Schottky diode pair
机译:
使用IGBT / SiC-肖特基二极管对提高能源效率
作者:
Nii-Adotei Parker-Allotey
;
Dean Hamilton
;
Olayiwola Alatise
;
Michael Jennings
;
Phil Mawby
;
Rob Nash
;
Rob Magill
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
inductive switching;
silicon PiN diodes;
silicon carbide schottky barrier diodes;
7.
12 kV, 1 cm~2 SiC GTO Thyristors with Negative Bevel Termination
机译:
具有负斜角端接的12 kV,1 cm〜2 SiC GTO晶闸管
作者:
Q. J. Zhang
;
A. Agarwal
;
C. Capell
;
L. Cheng
;
M. OLoughlin
;
A. Burk
;
J. W. Palmour
;
S. Rumyantsev
;
T. Saxena
;
M. Levinshtein
;
A. Ogunniyi
;
H. OBrien
;
C. J. Scozzie
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
SiC;
gate turn-off thyristor;
GTO;
termination;
light-triggered GTO;
8.
Temperature dependence of inversion layer carrier concentration and Hall mobility in 4H-SIC MOSFETs
机译:
4H-SIC MOSFET中反型层载流子浓度和霍尔迁移率的温度依赖性
作者:
Sarit Dhar
;
Ayayi C Ahyi
;
John R. Williams
;
Sei-Hyung Ryu
;
Anant K. Agarwal
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC MOSFET;
hall measurements;
mobility;
carrier concentration;
trapping;
band-tail states;
thermally activated;
9.
Effects of N Incorporation on Electron Traps at SiO_2/SiC Interfaces
机译:
氮的掺入对SiO_2 / SiC界面电子陷阱的影响
作者:
A.F. Basile
;
S. Dhar
;
J.R. Williams
;
L.C. Feldman
;
P.M. Mooney
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiO_2/SiC;
SiC MOS;
interface states;
electron trapping;
tunneling;
DLTS;
C-V;
10.
Passivation and depassivation of interface traps at the SiO_2/4H-SiC interface by potassium ions
机译:
钾离子对SiO_2 / 4H-SiC界面陷阱的钝化和去钝化作用
作者:
Petur Gordon Hermannsson
;
Einar OE. Sveinbjoernsson
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
interface states;
passivation;
alkali metals;
oxidation;
11.
Curious Relationship between Orientation of SiC Substrates and Chemical Reactivity
机译:
SiC衬底的取向与化学反应性之间的奇怪关系
作者:
Tomoaki Hatayama
;
Hidenori Koketsu
;
Hiroshi Yano
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
orientation;
etching;
oxidation;
chlorine;
anisotropy;
chemical reactivity;
polarity;
12.
Study of High Temperature Microwave Annealing on the Performance of 4H-SiC MOS Capacitors
机译:
高温微波退火对4H-SiC MOS电容器性能的研究
作者:
H. Naik
;
Z. Li
;
H. Issa
;
Y. Tian
;
T.P. Chow
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
SiC/SiO_2 interface;
MOS capacitor;
SiC implantation annealing;
microwave annealing;
13.
Comparison of Oxide Quality for Monolithically Fabricated SiC CMOS Structures
机译:
单片制造SiC CMOS结构的氧化物质量比较
作者:
L.C. Martin
;
D. Clark
;
E.P. Ramsay
;
A.E. Murphy
;
R.F.Thompson
;
D.A.Smith
;
R.A.R. Young
;
J.D. Cormack
;
N.G.Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
CMOS;
high temperature;
oxide;
14.
High-Resolution TEM Observation of 4H-SiC (0001) Surface Planarized by Catalyst-Referred Etching
机译:
催化剂辅助刻蚀对4H-SiC(0001)表面进行了高分辨率的TEM观察
作者:
Bui Van Pho
;
Shun Sadakuni
;
Takeshi Okamoto
;
Ryusuke Sagawa
;
Kenta Arima
;
Yasuhisa Sano
;
Kazuto Yamauchi
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
catalyst-referred etching;
SiC;
HRTEM;
step-and-terrace structure;
15.
The thickness-ratio effects of Ni/Nb electrode on wire bonding strength with n-type 4H-SiC
机译:
Ni / Nb电极的厚度比对n型4H-SiC引线键合强度的影响
作者:
Kunhwa Jung
;
Daisuke Ando
;
Yuji Sutou
;
Tetsuya Oyamada
;
Masamoto Tanaka
;
Junichi Koike
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
niobium;
silicon carbide;
ohmic contact;
wire bonding;
16.
The Formation Mechanism of Ni-based Ohmic Contacts to 4H-n-SiC
机译:
Ni基欧姆接触4H-n-SiC的形成机理
作者:
Andrian V. Kuchuk
;
Vasyl P. Kladko
;
Krystyna Golaszewska
;
Marek Guziewicz
;
Marek Wzorek
;
Eliana Kaminska
;
Anna Piotrowska
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
ohmic contact;
ni-silicide;
contact resistance;
schottky barrier;
17.
Pulse Characterization of Optically Triggered SiC Thyristors
机译:
光触发碳化硅晶闸管的脉冲特性
作者:
Nicolas Dheilly
;
Gontran Paques
;
Sigo Scharnholz
;
Dominique Planson
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
light triggered thyristor;
LTT;
pulse power;
18.
Evaluation of High Power Experimental SiC SGTO Devices for Pulsed Power Applications
机译:
用于脉冲功率应用的大功率实验性SiC SGTO器件的评估
作者:
Shelby Lacouture
;
Kevin Lawson
;
Stephen Bayne
;
Michael Giesselmann
;
Heather OBrien
;
Charles J. Scozzie
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
thyristors;
three phase controlled rectifier;
19.
High Temperature Capacitive Pressure Sensor Employing a SiC Based Ring Oscillator
机译:
采用SiC基环形振荡器的高温电容式压力传感器
作者:
Roger D. Meredith
;
Philip G. Neudeck
;
George E. Ponchak
;
Glenn M. Beheim
;
Maximilian C. Scardelletti
;
Jennifer L. Jordan
;
Liang-Yu Chen
;
David J. Spry
;
Michael J. Krasowski
;
Gary W. Hunter
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC-based ring oscillator;
high temperature circuits;
capacitive pressure sensor;
20.
300°C Capable Digital Integrated Circuits in SiC Technology
机译:
SiC技术中支持300°C的数字集成电路
作者:
Amita Patil
;
Naresh Rao
;
Vinayak Tilak
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
high-temperature techniques;
high temperature integrated circuit (IC);
n-channel MOS IC;
wide band gap semiconductor IC;
silicon carbide;
SiC;
21.
Reliability of Silicon Carbide Integrated Circuits at 300°C
机译:
碳化硅集成电路在300°C时的可靠性
作者:
Alexey V. Vert
;
Emad A. Andarawis
;
Cheng-Po Chen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
high temperature;
silicon carbide;
MOSFET;
N-MOS;
operational amplifier;
ring oscillator;
reliability;
22.
CdGeN_2 and ZnGe_(0.5)Sn_(0.5)N_2: Two New Nitride Semiconductors with Band Gaps in the Blue-green
机译:
CdGeN_2和ZnGe_(0.5)Sn_(0.5)N_2:两种新的氮化物半导体,带隙为蓝绿色
作者:
Atchara Punya
;
Walter R. L. Lambrecht
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
nitrides;
GW method;
band structure;
23.
High Temperature Silicon Carbide Power Modules for High Performance Systems
机译:
高性能系统的高温碳化硅功率模块
作者:
A.B. Lostetter
;
J. Hornberger
;
B. McPherson
;
J. Bourne
;
R. Shaw
;
E. Cilio
;
W. Cilio
;
B. Reese
;
E. Heinrichs
;
T. McNutt
;
M. Schupbach
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
power module;
high power;
low parasitic;
hermetically sealed;
high performance;
high reliability;
24.
Direct Frequency Modulation of a High Temperature Silicon Carbide Oscillator
机译:
高温碳化硅振荡器的直接频率调制
作者:
Daniel Brennan
;
Konstantin Vasilevskiy
;
Nick Wright
;
Alton Horsfall
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
oscillator;
frequency modulation;
colpitts;
RF;
radio transmission;
VCO;
25.
Comparative study of SiC MOSFETs in High Voltage Switching Operation
机译:
高压开关操作中SiC MOSFET的比较研究
作者:
Tsuyoshi Funaki
;
Yuki Nakano
;
Takashi Nakamura
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
DMOSFET;
trench gate MOSFET;
switching;
turn-on;
turn-off;
high voltage;
26.
Charge Trapping in SiC Power MOSFETs and its Consequences for Robust Reliability Testing
机译:
SiC功率MOSFET中的电荷陷阱及其对稳健可靠性测试的后果
作者:
Ronald Green
;
Aivars Lelis
;
Daniel Habersat
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC;
DMOSFET;
charge trapping;
HTGB;
27.
4H-SiC MOSFETs with a Stable Protective Coating for Harsh Environment Applications
机译:
适用于恶劣环境应用的具有稳定保护层的4H-SiC MOSFET
作者:
W. Daves
;
A. Krauss
;
V. Haeublein
;
A.J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
protective coating;
high temperature;
harsh environment;
reliability;
28.
Large area 1200 V SiC BJTs with β>100 and ρ_(ON)<3 mΩcm~2
机译:
β> 100和ρ_(ON)<3mΩcm〜2的大面积1200 V SiC BJT
作者:
Martin Domeij
;
Andrei Konstantinov
;
Anders Lindgren
;
Carina Zaring
;
Krister Gumaelius
;
Mats Reimark
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
BJT;
current gain;
on-resistance;
switching;
short-circuit;
avalanche;
29.
1200 V-class 4H-SiC 'Super' Junction Transistors with Current Gains of 88 and Ultra-fast Switching capability
机译:
1200 V级4H-SiC'超级'结晶体管,具有88的电流增益和超快速开关能力
作者:
Ranbir Singh
;
Stoyan Jeliazkov
;
Eric Lieser
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC transistor;
current gain;
RBSOA;
switching;
breakdown voltage;
30.
Integrated SiC Anode Switched Thyristor Modules for Smart-Grid Applications
机译:
适用于智能电网应用的集成式SiC阳极开关晶闸管模块
作者:
Siddarth G. Sundaresan
;
Eric Lieser
;
Ranbir Singh
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC thyristor;
MOS-controlled thyristor;
ultra-high voltage;
megawatt;
switches;
31.
Fabrication and Characterization of 4H-SiC 6kV Gate Turn-off Thyristor
机译:
4H-SiC 6kV栅极关断晶闸管的制备与表征
作者:
Lei Lin
;
Jian H. Zhao
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
GTO;
thyristors;
high voltage;
MJTE;
32.
Development of High Temperature SiC Based Hydrogen/Hydrocarbon Sensors with Bond Pads for Packaging
机译:
具有用于封装的焊盘的高温SiC基氢/烃传感器的开发
作者:
Jennifer C. Xu
;
Gary W. Hunter
;
Liangyu Chen
;
Azlin M. Biaggi-Labiosa
;
Benjamin J. Ward
;
Dorothy Lukco
;
Jose M. Gonzalez III
;
Peter S. Lampard
;
Michael A. Artale
;
Christopher L. Hampton
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
hydrogen/hydrocarbon sensors;
SiC;
high temperature;
schottky diodes;
33.
Laser-Doped SiC as Wireless Remote Gas Sensor based on Semiconductor Optics
机译:
基于半导体光学的激光掺杂SiC作为无线远程气体传感器
作者:
Geunsik Lim
;
Tariq Manzur
;
Aravinda Kar
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
optical sensor;
noncontact sensor;
refractive index;
laser doping;
nonintrusive sensor;
34.
10 kV SiC Power MOSFETs and JBS Diodes: Enabling Revolutionary Module and Power Conversion Technologies
机译:
10 kV SiC功率MOSFET和JBS二极管:实现革命性的模块和功率转换技术
作者:
Mrinal Das
;
David Grider
;
Scott Leslie
;
Ravi Raju
;
Michael Schutten
;
Allen Hefner
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
MOSFET;
JBS diode;
power module;
SSPS;
35.
SiC JFET Power Modules for Reliable 250°C Operation
机译:
SiC JFET功率模块,可在250°C可靠运行
作者:
David C. Sheridan
;
Jeffrey B. Casady
;
Tracy Autry
;
Rizal Aguirre
;
Victor Lee
;
R. Wayne Johnson
;
Michael J. Palmer
;
James Scofield
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
JFET;
module;
half-bridge;
high-temperature;
switching energy;
36.
Shallow Incorporation of Nitrogen in HPSI 4H-SiC through the Laser Enhanced Diffusion Process
机译:
通过激光增强扩散工艺将氮浅掺入HPSI 4H-SiC中
作者:
W. Sullivan III
;
C. Hettler
;
J. Dickens
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
laser enhanced diffusion;
n-type doping;
thermal model;
silicon carbide;
37.
Effect of Direct Nitridation of 4H-SiC Surface on MOS Interface States
机译:
4H-SiC表面直接氮化对MOS界面态的影响
作者:
Takashi Sakai
;
Mitsunori Hemmi
;
Yusuke Murata
;
Tomohiko Yamakami
;
Rinpei Hayashibe
;
Yoshinaru Onuma
;
Kiichi Kamimura
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC;
nitridation;
interface states;
MOS;
surface;
38.
Improved Deposited Oxide Interfaces from N_2 Conditioning of Bare SiC Surfaces
机译:
通过裸露SiC表面的N_2调节改善沉积的氧化物界面
作者:
John Rozen
;
Masahiro Nagano
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
deposited oxide;
surface treatment;
interface trap density;
nitridation;
passivation;
39.
High Dose Al~+ Implanted and Microwave Annealed 4H-SiC
机译:
高剂量Al〜+注入和微波退火4H-SiC
作者:
R. Nipoti
;
A. Nath
;
Mulpuri V. Rao
;
A. Hallen
;
F. Mancarella
;
S. Zampolli
;
Y. L. Tian
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
p-type doping;
ion implantation;
electrical activation;
microwave annealing;
40.
High temperature ion implantation and activation annealing technologies for mass production of SiC power devices
机译:
大规模生产SiC功率器件的高温离子注入和活化退火技术
作者:
Kazuo Tezuka
;
Tatsuro Tsuyuki
;
Saburo Shimizu
;
Shinichi Nakamata
;
Takashi Tsuji
;
Noriyuki lwamuro
;
Shinsuke Harada
;
Kenji Fukuda
;
Hiroshi Kimura
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
SBD;
power device;
ion implantation;
activation annealing;
41.
Performance of a 25kW 700V Galvanically Isolated Bidirectional DC-DC Converter Using 1.2kV Silicon Carbide MOSFETs and Schottky Diodes
机译:
使用1.2kV碳化硅MOSFET和肖特基二极管的25kW 700V电隔离双向DC-DC转换器的性能
作者:
Amit K. Jain
;
David Mclntosh
;
Matt Jones
;
Brian Ratliff
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC application;
DC-DC conversion;
bidirectional converters;
42.
Switching Losses in a SiC-based DC-DC Multilevel Boost Converter
机译:
基于SiC的DC-DC多电平Boost转换器中的开关损耗
作者:
Omid Mostaghimi
;
Nick Wright
;
Alton Horsfall
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
multilevel converter;
DC-DC conversion;
reverse recovery;
voltage conversion ratio;
43.
Conversion of Si Nanowires Into SiC Nanotubes
机译:
Si纳米线到SiC纳米管的转换
作者:
M. Ollivier
;
L. Latu-Romain
;
E. Bano
;
A. Mantoux
;
T. Baron
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon;
silicon carbide;
carburization;
nanowires;
nanotubes;
out-diffusion;
44.
Growth of SiC Nanowires on Different Planes of 4H-SiC Substrates
机译:
在不同平面的4H-SiC衬底上生长SiC纳米线
作者:
Rooban Venkatesh K. G. Thirumalai
;
Bharat Krishnan
;
Igor Levin
;
Albert V. Davydov
;
Siddarth Sundaresan
;
J. Neil Merrett
;
Yaroslav Koshka
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
nanowires;
epitaxial growth;
CVD;
chemical vapor deposition;
45.
Frequency-dependent Charge Pumping on 4H-SiC MOSFETs
机译:
4H-SiC MOSFET上的频率相关电荷泵浦
作者:
Liangchun Yu
;
Jody Fronheiser
;
Vinayak Tilak
;
Kin P. Cheung
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
near-interface oxide defect;
MOSFET;
charge pumping;
physical depth profile;
46.
Implementation of Sub-Resolvable Features for Precise Electrical Characterization of SiC Gate Oxide Parameters
机译:
实现SiC栅氧化层参数精确电特性的亚分辨特征的实现
作者:
J. Jay McMahon
;
Liangchun Yu
;
Jody Fronheiser
;
J. T. Elson
;
Roger Kovalec
;
Jim Kretchmer
;
Vinayak Tilak
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
gate oxide;
sub-micron lithography;
lateral MOSFETs;
47.
Clearance of 4H-SiC sub-trench in hot chlorine treatment
机译:
热氯处理中4H-SiC子沟槽的间隙
作者:
Hidenori Koketsu
;
Tomoaki Hatayama
;
Hiroshi Yano
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
thermal etching;
anisotropy;
chlorine;
trench;
C-face;
si-face;
sub-trench;
48.
A Fully Electrically Isolated Package for High Temperature SiC Sensors
机译:
用于高温SiC传感器的完全电隔离封装
作者:
G. Brezeanu
;
F. Draghici
;
M. Badila
;
I. Rusu
;
F. Bernea
;
P. Godignon
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
high temperature;
schottky diode;
sensor;
package;
temperature cycling;
49.
Current distribution in the various functional areas of a 600V SiC MPS diode in forward operation
机译:
正向操作中600V SiC MPS二极管各个功能区域的电流分布
作者:
Roland Rupp
;
Rolf Gerlach
;
Andre Kabakow
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
merged pn-schottky diode;
emission microscopy;
50.
Experimental Study on Various Junction Termination Structures Applied to 15 kV 4H-SiC PiN Diodes
机译:
适用于15 kV 4H-SiC PiN二极管的各种结终止结构的实验研究
作者:
Hiroki Niwa
;
Gan Feng
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
PiN diode;
breakdown;
junction termination extension (JTE);
interface charge;
51.
High Voltage SiC Vertical JFET for High Power RF Applications
机译:
用于大功率射频应用的高压SiC垂直JFET
作者:
Christian Hecht
;
Rudolf Elpelt
;
Reinhold Schorner
;
Roland lrsigler
;
Oliver Heid
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC;
JFET;
RF module;
high-frequency;
switching;
power;
high-voltage;
52.
Design of an Integrated SiC JFET Power Switch and Flyback Diode
机译:
集成式SiC JFET电源开关和反激二极管的设计
作者:
Rahul Radhakrishnan
;
Jian H. Zhao
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC;
VJFET;
JBS;
diode;
switch;
power;
flyback;
freewheeling;
synchronous;
rectifier;
53.
A Novel 4H-SiC Fault Isolation Device with Improved Trade-off between On-state Voltage Drop and Short Circuit SOA
机译:
一种新型4H-SiC故障隔离装置,其导通状态压降与短路SOA之间的折衷得到了改善
作者:
Woongje Sung
;
B. J. Baliga
;
Alex Q. Huang
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
fault isolation device;
power distribution system;
field controlled diode;
field controlled thyristor;
gating technique;
cascode circuit;
short circuit safe operating area;
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