机译:多Si / 4H-SiC异质结二极管屏障高度不均匀的理论与实验研究
TU Wien Inst Sensor & Actuator Syst Gusshausstr 27-29 A-1040 Vienna Austria;
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KAI Kompetenzzentrum Automobil & Ind Elekt GmbH Europastr 8 A-9524 Villach Austria;
Infineon Technol Austria AG Siemensstr 2 A-9500 Villach Austria;
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p-Si; n-4H-SiC; polysilicon contact; heterojunction; Tung model; barrier height inhomogeneities; temperature dependence;
机译:Poly-Si / 4H-SiC异质结二极管反溅射蚀刻屏障高度调整
机译:利用能垒高度控制的新型低V_(ON)多晶硅/ 4H-SiC异质结二极管
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:利用能垒高度控制的新型低V_(ON)多晶硅/ 4H-SiC异质结二极管
机译:过滤介质不均匀性的实验研究和理论建模。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:TI / W 4H-SIC肖特基二极管的多屏障高度表征和DLTS研究