GaN基雪崩二极管的蒙特卡罗模拟

摘要

由于宽禁带、高增益所带来的优越光电性能,GaN基材料雪崩二极管(APD)在近年得到广泛的关注,成为紫外探测的重要工具。本文使用蒙特卡罗方法对GaN基雪崩二极管器件进行理论模拟,通过二维模型我们通过模拟得到了载流子漂移速度、平均能量、能谷占有率等稳态结果,对电子和空穴两种载流子的输运特性进行了理论的探讨和研究；同时使用一维简化模型对GaN基材料器件特性进行了模拟,得到了碰撞电离系数、速度过冲、增益和噪声等结果。