Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率0.07Gy(Si)/s辐照下,延迟时间T<,PHL>退化比高剂量率1.9Gy(Si)/s辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏对延迟退化肯有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的T<,'/>
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严荣良; 余学锋; 艾尔肯; 郭旗;
中国电子学会;
中国核学会;
高速CMOS电路; 交流特性; 辐射退化;
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