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王波; 房玉龙; 尹甲运; 刘庆彬; 张志荣; 郭艳敏; 李佳; 芦伟立; 冯志红;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
半导体材料; 氮化镓; 石墨烯; 外延生长; 残余应力;
机译:GaN纳米线在外延石墨烯上的分子束外延
机译:使用外延石墨烯作为掩模在4H-SiC上通过金属有机气相外延生长GaN的纳米选择性区域
机译:使用自组织石墨烯作为纳米掩模在GaN模板上横向过度生长的GaN外延中的位错的演变
机译:外延单层石墨烯上GaN纳米线的等离子体辅助分子束外延
机译:碳化硅上的自支撑外延石墨烯和层状材料中的传输势垒
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:外延石墨烯作为掩膜在4H-SiC上通过金属有机气相外延生长GaN的纳米选择性区域
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:在石墨烯层上生长GaN层的方法和使用在石墨烯层上的GaN层的发光器件
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
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