一种新颖的硅基GeSn悬空微结构

摘要

新型IV族半导体材料GeSn合金由于其带隙可连续变化,并可制作为与互补金属氧化物半导体CMOS工艺相匹配的硅基激光器,对其的研究在近几年来日趋火热.GeSn合金能带结构在Sn组分大于～6.5％-11％能够转变为直接带隙.然而,GeSn材料的晶格常数大于Ge材料,因此在Ge衬底上生长的GeSn材料一般都存在较高的压应变,压应变的存在会阻碍其能带的转变,难以形成直接带隙.