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基于短脉冲激光干涉技术制备光子晶体LED的研究

摘要

采用三光束激光干涉法在GaN LED表面制作光子晶体结构.实验表明,当激光功率140m时,能够制作具有直径360nm,孔深78nm,周期410nm的六角晶格光子晶体.结果显示光子晶体对于GaN LED的光提取效率同样起到了明显的效果,LED的输出光强比常规结构LED最大提高55.7%.

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