フォトニック結晶深紫外LEDの実現－p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作

摘要

AlGaN系深紫外LEDは、p型コンタクト層での光取出し効率（LEE）が10%以下と低いことに起因して外部量子効率（EQE）が数%と未だ低い。今回、p型AlGaNコンタクト層に反射率90%以上の高反射型フォトニック結晶を形成することに成功してLEEを改善することにより、EQE10%を達成した。