透明基板AlGaInP发光二极管薄膜芯片

摘要

本文介绍三安光电公司研发透明基板键合、双电极AlGaInP-LED TS红光系列芯片产品的技术现况.通过先进工艺技术的开发与关键点参数的控制,产业化生产四元水平版LED外延片和芯片,可具有良好的性能与高可靠性.其中TS-LED芯片产品关键工艺技术,包含高穿透性结构、透明基板键合、衬底转移、和表面粗糙化等制程步骤,TS芯片具备良好出光效率和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光TS-LED芯片最高亮度达680mcd,Ag-To封装后器件光通量可达4.81m.本文探讨TS-LED芯片开发工艺之特点,针对关键工序、质量控制点以及关键参数卡控等,提出原理说明以及实践量产之步骤,并付诸实践.