ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

摘要

以实验数据为基础，运用人工神经网络方法，建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR Plasma CVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N<,2>)t /Q(SiH<,4>)和Q(O<,2>)/Q(SiH<,4>)关系的数学模型，比模型在给定气流配比Q(N<,2>)/Q(SiH<,4>和Q(O<,2>)/Q(SiH<,4>)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好，为ECR Plasma CVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础。