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詹琰; 夏冠群; 赵福川; 李传海; 朱朝嵩;
中国电子学会;
砷化镓; 绝缘栅场效应管; 旁栅效应; 旁栅阈值电压;
机译:由离散随机掺杂确定的源/漏掺杂梯度对双栅鳍式场效应晶体管阈值电压变化的影响
机译:双卤栅堆叠三材料双栅MOSFET阈值电压和漏极电流的二维分析模型
机译:离子注入源极和漏极延伸引起的绝缘体上硅三栅鳍型场效应晶体管阈值电压波动起因的三维研究
机译:肖特基-源极/漏极(Schottky-S / D)双栅全方位(DGAA)场效应晶体管(FET)的分析阈值电压模型
机译:长期静脉给予维生素D对继发性甲状旁腺功能亢进的血液透析患者甲状旁腺激素,钙和磷的影响。
机译:具有铁电聚合物顶栅绝缘子的单壁碳纳米管晶体管的可控滞后和阈值电压
机译:应变对纳米尺度漏电流和阈值电压的影响 双栅隧道场效应晶体管:理论研究与实践 分析
机译:衬底和注入对半绝缘Gaas制备的mEsFET结构阈值电压的影响模拟
机译:制造方法例如用于CPU的p沟道FET涉及在晶体阈值电压调节层上方形成栅电极结构,并在晶体管的有源区中形成晶体管的漏极和源极区
机译:用于非易失性信息存储的浮栅存储单元具有源/漏配置,具有两个源/漏区,允许通过两个公共源/漏区访问所有浮栅
机译:具有不同栅-源和栅-漏间距的化合物半导体器件
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