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发光二极管芯片光退化特性研究

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本文分析了LED芯片光输出退化机理,分组抽取LED芯片进行光退化试验,通过实验验证了LED芯片光输出退化的小电流现象.利用此现象扩大了LED外延工艺设计和日常生产的试验监控范围,有效为LED外延材料生长工艺的优化和改善提供参考数据,达到预测和改善LED芯片光退化现象的目的.

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来源
《第十四届全国LED产业发展与技术研讨会》|2014年|36-39|共4页
会议地点安徽马鞍山
作者
蔡伟智; 梁奋; 时军朋; 赵来文;
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作者单位

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8:TN304.07;
关键词
发光二极管芯片; 光退化特性; 小电流现象; 寿命试验;

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