SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究

摘要

本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系，进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。rn 实验结果表明：由于场氧漏电和结构漏电的影响，随着累积剂量的增加输出波形发生畸变，峰峰值变为原来的十分之一左右，但输出波形还有相对的高低电平;同时，输出高电平不能保持原有的状态，迅速地向低电平转换，并且转换速度随着累积剂量的增加而加快，输出低电平相对初始值有一定程度抬高;由于栅氧厚度变薄，输出波形的上升时间、下降时间和延迟时间随累积剂量的变化很小。