TAC

摘要： 为了提高钛合金表面微弧氧化层在海洋环境中的抗腐蚀和耐磨损性能,在硅酸盐系电解液中添加不同浓度粒径在1μm左右的TaC微粒,制备了TaC掺杂微弧氧化层.通过扫描电子显微镜、能谱仪和X射线光电子能谱仪等对微弧氧化层的形貌、元素组成及其化学状态进行表征与分析,并对比评价了钛合金表面TaC掺杂微弧氧化层的厚度、表面粗糙度、硬度、耐磨性以及耐蚀性.结果表明:通过向电解液中添加TaC微粒,钛合金表面微弧氧化层中存在TaC和Ta_(2)O_(5);较未添加TaC微粒制备微弧氧化层,其表面形貌更为致密,硬度提高了约83.2%,在模拟海水中的摩擦系数由0.2降到了0.148,由磨粒磨损转变为粘着磨损,腐蚀电流密度下降了2个数量级,并通过构建微弧氧化层在模拟海水中的磨损和腐蚀失效模型,揭示了微弧氧化层中掺入TaC微粒对改善其抗腐耐磨性能的内在机理.

摘要： 针对乙醇-碳酸二甲酯二元共沸物分离难题,分别以糠醛和离子液体(1-己基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐)为萃取溶剂,对乙醇-碳酸二甲酯二元共沸体系萃取精馏进行了流程设计和模拟计算。以全年总费用(TAC)为优化目标,对糠醛萃取精馏工艺的溶剂比、溶剂进料位置、原料进料位置、回流比和总理论板数等工艺参数进行了优化,实现了乙醇和碳酸二甲酯的有效分离,产品纯度可达到99.95%以上。主要条件不变,萃取剂换为离子液体时,计算结果表明,萃取精馏工艺设备费用增加了5.90%,能耗费用降低了20.76%,TAC降低了11.52%,该工艺具有一定的工业意义。

摘要： 介绍了4G SGS接口位置更新的应用,首次证明了周期性TAU位置更新并不会带来SGS接口位置更新.介绍了两种实现SGS位置更新的方法,针对现有方法的缺点提出了一种新方案,应用于BSC跨PoolA口割接、MSC Server双登记处理等场景,均取得较好效果.

摘要： 为了探究烧结压力对不同晶粒尺寸碳化钽(TaC)力学性能的影响,通过高温高压技术对纳米、微米尺寸TaC粉末进行高温高压烧结,制备不同烧结条件下的块状TaC陶瓷.利用X射线衍射等表征方法对烧结样品的物相、元素分布、压痕形态进行表征,结果表明:TaC在烧结过程中物相稳定,且无杂质渗入.利用维氏硬度计对不同烧结压力(3.0、4.0和5.5 GPa)条件下的3种陶瓷样品进行维氏硬度测试,并进行微观结构分析,结果表明:随着烧结压力由3.0 GPa提升到5.5 GPa,微米尺寸TaC的维氏硬度(21.0 GPa)优于3.0、4.0 GPa下的纳米尺寸TaC维氏硬度(17.5、19.2 GPa).此外,研究发现,测试维氏硬度时,3.0 kg应用载荷对测试TaC维氏硬度更加精确.研究结果对结构陶瓷烧结和超高温陶瓷硬度研究具有指导意义.

摘要： 对甲基丙烯酸甲酯/甲醇/水三元共沸混合物分离进行了常规变压精馏和双效热集成变压精馏模拟.以年总费用(TAC)为目标函数,对进料板位置、回流比、塔板数等参数进行了优化.在常规变压精馏工艺中,高压塔进料板位置最佳为第10块板、回流比为0.4、塔板数为23块,低压塔最佳进料板位置为第15块板、回流比为1.0、塔板数为60块,高压塔与低压塔的操作压力分别为300 kPa和10 kPa.在优化后的常规变压精馏基础上,提出了双效热集成变压精馏工艺,与常规变压精馏工艺相比,双效热集成变压精馏工艺的再沸器与冷凝器负荷分别下降34.81％和34.92％,TAC下降31.40％.

摘要： 本文测试了无纺布、滤纸、和金属烧结毡对三醋酸纤维素(TAC)溶液的过滤效率.实验发现无纺滤布和金属烧结毡过滤凝胶效果较好,滤纸和金属烧结毡过滤短纤维效果明显.

摘要： 基于溶胶-凝胶技术,通过不同的干燥方式,制备了3种10 mg/cm3的CHO泡沫,并对泡沫的显微形貌、孔结构分布以及力学性能进行了测试分析.结果表明,通过超临界干燥技术制备得到的三乙酸纤维素(TAC)泡沫力学性能最佳,其弹性模量为3.50×104 Pa,冷冻干燥制得的TAC泡沫弹性模量为3.38×104 Pa,冷冻干燥获得的TMPTA(聚三羟甲基丙烷三丙烯酸酯)泡沫力学性能最差,其弹性模量仅为0.36×104 Pa.超临界干燥TAC泡沫中的孔径较小(数纳米至十几纳米量级),孔径分布较为均匀.冷冻干燥的TAC泡沫孔径增大(几十纳米量级),孔径分布较宽.冷冻干燥的TMPTA泡沫孔径最大(百纳米量级孔洞大幅增加),孔径分布最宽.

摘要： TaxHf1-xC固溶陶瓷是碳化钽(TaC)和碳化铪(HfC)在一定条件下以任意比例形成的系列固溶体,其熔点普遍在4000 K以上,最高可达4300 K,且硬度高、模量高、热导率低、抗高温氧化和抗烧蚀性能优异,具备在极端热环境(>3000 K)下服役的潜力,成为耐超高温材料领域的研究热点和前沿.本文综述了近年来TaxHf1-xC固溶陶瓷在粉体合成技术、致密化工艺和机理、室温力学性能、热物理性能、抗氧化性能、抗烧蚀性能等方面所取得的研究进展,分析了TaxHf1-xC固溶陶瓷粉体不同合成技术的优劣及致密化的难点,讨论了TaxHf1-xC固溶陶瓷组成、结构和性能之间的相互关系.此外,本文还指出了TaxHf1-xC固溶陶瓷目前存在的挑战,并对未来潜在的发展方向作了展望.

摘要： 采用传统的粉末冶金方法制备了不同TaC含量Ti(C,N)-18Ni金属陶瓷,利用化学气相沉积技术在所制备的金属陶瓷基体上沉积TiN/TiCN/Al2O3/TiN多层复合涂层,通过不同的方法表征了基体和涂层的组织和力学性能.结果 表明:TaC含量为6％时(质量分数,下同),金属陶瓷的晶粒细小且分布均匀,组织最为致密,表现出优异的机械性能.TaC的添加细化了金属陶瓷晶粒,为涂层生长提供了更多形核点,从而改变了涂层的组织和性能.基体中部分元素扩散到涂层中,改变了涂层的晶格常数.当TaC含量为6％时,涂层与金属陶瓷的结合力达到最大,为127.8 N.

摘要： 为了评估a-C∶H和ta-C涂层应用于铝合金干式切削刀具表面防护的可行性,在M2高速钢基底上,用RF-PECVD方法沉积a-C∶H涂层,用磁过滤阴极真空电弧方法沉积了ta-C涂层.通过热重试验观测两种涂层在升温过程中的质量变化.将这两种涂层在大气环境退火,用拉曼光谱等方法表征涂层的结构,用纳米压痕法测量涂层硬度.通过大气环境下的球盘摩擦磨损试验,比较a-C∶H和ta-C涂层的对7075铝合金摩擦学性能.结果 显示:经过400°C退火,a-C∶H涂层硬度从24.8 GPa下降至20.0 GPa,ta-C涂层硬度从28.7 GPa增加至30.8 GPa;a-C∶H涂层对7075铝合金的摩擦因数从0.17下降至0.14,ta-C涂层摩擦因数保持不变为0.12;a-C∶H涂层磨损率从1.9×10-15 m2·N-1上升至2.4×10-15 m2 ·N-1,ta-C涂层磨损率从8.0×10-16 m2·N-1上升至9.2×10-16 m2 ·N-1.当采用7075铝合金为对偶摩擦件时,ta-C具有比a-C∶H涂层更低的摩擦因数和磨损率,而且随温度变化更稳定,因此ta-C是一种更有前途的铝合金干式切削刀具防护涂层.

摘要： 本文就taC:N膜特殊光电导行为进行了研究。经研究得出，正是由于Ν的π-掺杂构型的存在，在半导体的导带中又产生了一个N的π-能级，这个能级的能量水平相对δ掺杂的N的δ轨道能级更低，所以光照可以很容易地让π-轨道上的电子跃迁到了δ轨道，也使最高占据轨道π2轨道轨道上的电子可以很容易地跃迁到导带中，就使得taC:N膜表现出对光的特殊的极度敏感性。

摘要： 本文就taC:N膜特殊光电导行为进行了研究。经研究得出，正是由于Ν的π-掺杂构型的存在，在半导体的导带中又产生了一个N的π-能级，这个能级的能量水平相对δ掺杂的N的δ轨道能级更低，所以光照可以很容易地让π-轨道上的电子跃迁到了δ轨道，也使最高占据轨道π2轨道轨道上的电子可以很容易地跃迁到导带中，就使得taC:N膜表现出对光的特殊的极度敏感性。

摘要： 本文就taC:N膜特殊光电导行为进行了研究。经研究得出，正是由于Ν的π-掺杂构型的存在，在半导体的导带中又产生了一个N的π-能级，这个能级的能量水平相对δ掺杂的N的δ轨道能级更低，所以光照可以很容易地让π-轨道上的电子跃迁到了δ轨道，也使最高占据轨道π2轨道轨道上的电子可以很容易地跃迁到导带中，就使得taC:N膜表现出对光的特殊的极度敏感性。

摘要： 本文就taC:N膜特殊光电导行为进行了研究。经研究得出，正是由于Ν的π-掺杂构型的存在，在半导体的导带中又产生了一个N的π-能级，这个能级的能量水平相对δ掺杂的N的δ轨道能级更低，所以光照可以很容易地让π-轨道上的电子跃迁到了δ轨道，也使最高占据轨道π2轨道轨道上的电子可以很容易地跃迁到导带中，就使得taC:N膜表现出对光的特殊的极度敏感性。

摘要： taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。

摘要： taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。

摘要： taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。

摘要： taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。

摘要： taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。

摘要： taC:N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注。本文在1mol/L HClO介质中系统地研究了不同电极电位下taC:N电极的电化学交流阻抗谱(EIS)行为。根据taC:N电极在1mol/LHClO介质中的循环伏安图，在-0.4到+1.4V(vs.SCE)的电位范围内得到了不同N含量taC:N电极的EIS复平面图，频率范围10～10Hz，振幅为5mV，停留时间为5s。

摘要： 本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600°C至2500°C的温度形成TaC涂层的步骤。

摘要： 本发明提供粘贴时的排气极优异、透明性、贴合作业性优异、且能在粘合后不会损害偏振性的情况下增强粘接强度的环烯烃系聚合物粘接用TAC基材、TAC粘接部件以及液晶显示装置。本发明的环烯烃系聚合物粘接用TAC基材在TAC基材的表面具有粘接层，上述粘接层含有：链烷烃或环烷烃；以及粘接助剂、TAC聚合物、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、大分子单体或热塑性弹性体中的至少任一种以上，从而实现了能与环烯烃系聚合物牢固地粘接的TAC基材。

摘要： 本发明涉及包括不纯物含量特别小的TaC材料的制造方法及由此形成的TaC材料，根据本发明一个侧面的不纯物含量小的TaC材料的制造方法，包括：准备基材的步骤；及在所述基材的表面，在1600°C至2500°C的温度形成TaC涂层的步骤。

摘要： 一种透明硬化组合物，组分及其重量份是：纤维素有机酯5重量份～20重量份；单体15重量份～30重量份；预聚物10重量份～30重量份；第一引发剂2重量份～7重量份；第二引发剂2重量份～7重量份；流平剂0.1重量份～1重量份；有机溶剂30重量份～65重量份；纤维素有机酯的结构包含酰基官能团和羟基官能团，所述羟基官能团质量占纤维素有机酯分子质量份数的1％‑5％，所述酰基官能团质量占纤维素有机酯分子质量份数的2％‑55％。本发明利用所述组合物中的纤维素有机酯，显著提高了透明硬化TAC膜硬化涂层耐候性、卷曲性、镀膜性、柔韧性、附着力、耐磨性，可广泛应用于眼镜片领域。

摘要： 本发明提供粘贴时的排气极优异、透明性、贴合作业性优异、且能在粘合后不会损害偏振性的情况下增强粘接强度的环烯烃系聚合物粘接用TAC基材、TAC粘接部件以及液晶显示装置。本发明的环烯烃系聚合物粘接用TAC基材在TAC基材的表面具有粘接层，上述粘接层含有：链烷烃或环烷烃；以及粘接助剂、TAC聚合物、环烯烃聚合物、环烯烃共聚物、大分子单体或热塑性弹性体中的至少任一种以上，从而实现了能与环烯烃系聚合物牢固地粘接的TAC基材。

摘要： 本发明涉及一种碳材料表面双层SiC/TaC涂层及其制备方法。所述碳材料表面双层SiC/TaC涂层包括：依次形成在碳材料表面的SiC过渡层和TaC面层，且TaC面层为纯相TaC。

摘要： 本发明提供一种面向TACS列控系统的无线通信质量检测装置，包含：至少一个服务器，所述服务器包含：ping命令发送‑接收模块，其在多个冗余网络下，周期性的向车载TAU、车载信号主机分别无线发送第一、第二ping命令；基础事件生成模块，其基于车载TAU、车载信号主机响应第一、第二ping命令的时延，以及预设的时延参考值，生成对应的基础事件，基础事件包含在对应网络下，服务器到车载TAU/车载信号主机网络质量差、通信异常、通信中断事件；故障诊断模块，其定时轮询所述通信异常事件，并基于当前时刻轮询到的所有通信异常事件，生成通信故障诊断结果。本发明还提供一种面向TACS列控系统的无线通信质量检测方法。

摘要： 本发明涉及一种用于TACS系统的车辆信号接口仿真验证方法与装置，该装置包括仿真机车控制器、隔离数字IO卡、任意波形发生器AWG、高速数字IO卡、TRDP、继电器箱、信号转换板STB；所述的仿真机车控制器分别与TACS‑IVP上位机、隔离数字IO卡、任意波形发生器AWG、高速数字IO卡和TRDP连接；所述的TRDP与车载被测对象连接，所述的隔离数字IO卡通过继电器箱与车载被测对象连接，所述的信号转换板STB分别与任意波形发生器AWG、高速数字IO卡、车载被测对象连接。与现有技术相比，本发明具有验证方式灵活、成本可控与拓展性、联动性强等优点。

摘要： 本申请涉及薄膜生产设备领域，具体而言，涉及一种TAC硬化膜的固化装置和TAC硬化膜的生产系统。TAC硬化膜的生产系统包括：沿TAC膜的传送方向依次设置的放卷单元、涂布单元、干燥单元、固化单元、热处理单元以及收卷单元。经过固化单元固化后，TAC硬化膜被热处理单元二次处理后再进行收卷；热处理单元的设置，可以使制备的TAC硬化膜透明度高，极大程度改善了现有TAC硬化膜产品颜色“泛红”的问题，且TAC硬化膜被收卷单元收卷之后不再需要单独长时间晾置，可避免TAC硬化膜长期存储吸潮进而产生变形的问题，提高了TAC硬化膜的生产效率，降低了TAC硬化膜的生产成本。

摘要： 本实用新型公开了一种TAC膜表面皂化处理设备，它包括沿着TAC膜前进方向依次设置的自动翻卷机构、自动换卷切断装置、拉片架、碱液皂化处理槽、纯水清洗槽、双面网板烘箱、观片架和收卷牵引架，自动翻卷机构包括用于架设TAC膜的放卷架以及用于翻卷TAC膜的翻板，自动换卷切断装置包括机架，机架上装有输送辊，在机架上、并在输送辊的侧边处设有切刀，拉片架和观片架上均设有浮动锟恒张力控制装置。本实用新型能够对偏光片中的TAC膜表面进行碱液皂化处理的自动化设备，保证了TAC膜和PVA膜之间有良好的粘接，而且可靠性能可以满足市场上条件苛刻的3D太阳眼镜。