首页> 外国专利> 1T- 1T- METHOD FOR PREPARING METALLIC 1T PHASE TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES AND METALLIC 1T PHASE TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES

1T- 1T- METHOD FOR PREPARING METALLIC 1T PHASE TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES AND METALLIC 1T PHASE TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES

机译:1T-1T-制备金属1T相过渡金属二甲基化物和金属1T相过渡金属二均致原硅藻的方法

摘要

The present invention relates to a method for producing a metallic 1T-transition metal chalcogen compound and a metallic 1T-transition metal chalcogen compound, and more specifically, to a bulk-transition metal chalcogenide and a molten alkali metal by heat treatment of a mixture of an alkali metal. Inserting between the layers of the transition metal chalcogen compound; Forming a solvent mixture by mixing an alkali metal intercalated transition metal chalcogen compound and a solvent; and ultrasonically treating the solvent mixture to perform liquid phase exfoliation; It relates to a method for producing a metallic 1T-transition metal chalcogenides (Metallic 1T phase Transition Metal Dichalcogenides) comprising a.
机译:本发明涉及一种制备金属1T-过渡金属硫芥子化合物和金属1T-过渡金属硫芥子化合物的方法,更具体地,通过热处理混合物,更具体地,更具体地,更具体地,通过热处理 碱金属。 在过渡金属硫芥子化合物的层之间插入; 通过混合碱金属插层的过渡金属硫芥子化合物和溶剂形成溶剂混合物; 和超声物处理溶剂混合物以进行液相剥离; 它涉及一种制备金属1T-过渡金属硫族化合物(金属1T相过渡金属二甲基甲基甲基化物)的方法。

著录项

  • 公开/公告号KR20210147539A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 울산과학기술원;

    申请/专利号KR20200064932

  • 发明设计人 박혜성;박상현;

    申请日2020-05-29

  • 分类号C01G39/06;C01B19/04;C01G41;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 22:39:41

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号