首页> 外国专利> METHOD FOR MANUFACTURING A CRYSTALLINE LAYER OF PZT MATERIAL, AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWING A CYRSTALLINE LAYER OF PZT MATERIAL

METHOD FOR MANUFACTURING A CRYSTALLINE LAYER OF PZT MATERIAL, AND SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWING A CYRSTALLINE LAYER OF PZT MATERIAL

机译:用于制造PZT材料的结晶层的方法,以及用于外延生长的PZT材料的外延底物

摘要

A process for producing a crystalline layer of PZT material, comprising the transfer of a monocrystalline seed layer of SrTiO3 material to a carrier substrate of silicon material, followed by epitaxial growth of the crystalline layer of PZT material.
机译:一种制备PZT材料结晶层的方法,包括将Srtio 3 / sub>材料的单晶种子层的转移到硅材料的载体基板上,其次是PZT材料的结晶层外延生长。

著录项

  • 公开/公告号US2021074906A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC;

    申请/专利号US201917042657

  • 发明设计人 BRUNO GHYSELEN;

    申请日2019-03-26

  • 分类号H01L41/319;C30B25/18;C30B29/22;C30B33/06;H01L41/08;H01L41/187;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 17:37:42

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号