要解决的问题:准确预测单晶中氧沉淀核的密度分布和尺寸分布。解决方案:在第一至第七步骤中,在考虑熔体对流的情况下,使用计算机确定从熔体12生长的单晶14中的温度分布,从单晶的拉拔时间到冷却结束时间。在第八至第十四步中,使用计算机,通过考虑从熔体中分离出的单晶的冷却过程并反映出单晶逐渐快速冷却对结果的影响以及空隙半径来确定空隙密度使用计算机确定相对于空隙的周围的内壁氧化膜的膜厚和厚度。在第十五至第十七步中,使用计算机确定每单位时间的氧气沉淀核的生成和临界半径。当每单位时间的氧析出核的产生超过零时,空隙半径和内壁氧化膜的厚度的计算停止,并且使用计算机确定氧析出核的半径。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2004363412A
专利类型
公开/公告日2004-12-24
原文格式PDF
申请/专利号JP20030161493
申请日2003-06-06
分类号H01L21/00;C30B29/06;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:29:13