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Preparation of a lithographic mask on a curved surface, for use in microtechnology and nanotechnology for the fabrication of flat screens, memories, nanosystems, microsystems or biochips

机译:在曲面上制备光刻掩模,用于微技术和纳米技术中,用于制造平面屏幕,存储器,纳米系统,微系统或生物芯片

摘要

The preparation of a lithographic mask comprises: (a) the production of motifs (10) on a flat mask (12); and (b) posting the motifs on a support having a none zero curvature on at least one point of its surface. An independent claim is also included for the lithographic mask produced by the method.
机译:光刻掩模的制备包括:(a)在平面掩模(12)上产生图案(10); (b)将图案放置在其表面的至少一个点上具有零曲率的支撑物上。对于通过该方法生产的光刻掩模也包括独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号FR2859797A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;

    申请/专利号FR20030050561

  • 发明设计人 GUIBERT JEAN CHARLES;

    申请日2003-09-17

  • 分类号G03F1/00;G03F1/14;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 21:58:21

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