首页> 中文会议>第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 >用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

用于T形栅光刻的新型移相掩模技术

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.

著录项

来源
《第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会》|2001年|270-272|共3页
会议地点成都
作者
韩安云; 王育中; 王维军; 张倩; 陈宝钦; 崔铮;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
光学光刻; 移相掩模; T形栅; M-PEL; 光刻工艺模拟;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 用于T形栅光刻的新型移相掩模技术 [J] . 韩安云 ,王育中 ,王维军 . 微纳电子技术 . 2002,第5期
2. 适用于移相掩模的光刻模拟 [J] . 何恩生 . 半导体情报 . 1992,第003期
3. 移相掩模技术改进了i—线光刻分辨率 [J] . 钱小工 . 半导体情报 . 1992,第001期
4. 采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻 [J] . JinboH ,汪泽流 . 半导体情报 . 1992,第005期
5. 0.3微米移相掩模光刻 [J] . Teras.T ,王育中 . 半导体情报 . 1992,第004期
6. 无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模制作70nm光刻栅图形的模拟研究 [C] . 谢常青 ,刘明 ,陈宝钦 . 第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 . 2003
7. 基于移相掩模标记的光刻机投影物镜波像差检测方法研究 [A] . 战崇华 . 2009

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号