退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:位错的启示出现在晶体材料中
公开/公告号FR2867309B1
专利类型
公开/公告日2006-06-23
原文格式PDF
申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;
申请/专利号FR20040050407
发明设计人 BOGUMILOWICZ YANN;HARTMANN JEAN MICHEL;CAMPIDELLI YVES;
申请日2004-03-02
分类号H01L21/66;C30B33/12;G01N13/10;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 21:17:30
机译: 晶状体中的位错突现的启示具有锗基
机译: 通过酸性气体雕刻揭示晶体半导体材料中的位错,从而可以通过光学或电子显微镜直接观察缺陷
机译: 粘附界面的结晶缺陷和/或应力场的揭示是两种固体材料的延续