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The revelation of dislocations emergentes in the lens has a base of germanium

机译:晶状体中的位错突现的启示具有锗基

摘要

The present invention relates to a method of detecting faults, more particularly, of dislocations to be faced with an element having at least a surface layer on the basis of germanium lens. The method comprises an annealing step of the element under an atmosphere containing a mixture of at least one oxidizing gas and a neutral gas, allowing the selective oxidation of the dislocations to be faced with the surface layer on the basis of germanium lens.
机译:本发明涉及一种检测故障的方法,更具体地,涉及一种基于锗透镜的,至少具有表面层的元件所面对的位错的检测方法。该方法包括在包含至少一种氧化性气体和中性气体的混合物的气氛下对该元件进行退火的步骤,以基于锗透镜使位错的选择性氧化面对表面层。

著录项

  • 公开/公告号FR2941326A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;

    申请/专利号FR20090000198

  • 发明设计人 CHRYSTEL DEGUET;LOIC SANCHEZ;

    申请日2009-01-16

  • 分类号H01L21/66;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 18:26:39

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