解决方案:在Si等的基板32上形成多晶硅膜的下层膜35之后,在下层膜35中掺杂P等杂质并进行热扩散以使其连续。然后,在下层膜35上,形成仅形成但尚未实现电导通的多晶硅膜的上层膜36。上层膜36被施加与下层膜35的压缩应力相当的拉伸应力,并且调节由下层膜35和上层膜36构成的薄膜结构A以具有弱的拉伸应力。整体上
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007225362A
专利类型
公开/公告日2007-09-06
原文格式PDF
申请/专利权人 OMRON CORP;
申请/专利号JP20060044870
申请日2006-02-22
分类号G01H11/06;B81C1;B81B3;H01L29/84;G01L9;G01P15/125;G01P9/04;H04R19/04;H04R31;G01C19/56;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:13:01