要解决的问题:提供一种RE-Ba-Cu-基氧化物超导长体,其通过在长金属基材上通过缓冲层形成由RE-Ba-Cu-基氧化物形成的超导层而构成,本发明提供一种具有优异的临界电流密度特性的PLD方法,并提供一种制造该方法的方法。
解决方案:在RE-Ba-Cu-基氧化物超导长体中,由RE-Ba-Cu-基氧化物形成的超导层通过缓冲层形成在金属基材上。 RE-Ba-Cu-基氧化物超导长体的特征在于,RE-Ba-Cu-基氧化物的Ba组成小于化学计量组成,并且在临界电流密度特性方面优异。在这种情况下,RE是选自Y,La,Nd,Sm,Eu,Gd,Dy,Ho和Er中的一种或多种元素。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007115592A
专利类型
公开/公告日2007-05-10
原文格式PDF
申请/专利号JP20050307443
申请日2005-10-21
分类号H01B12/06;C01G1;H01B13;H01L39/24;C01G3;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:10:20