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A method and semiconductor device with a protective layer for reducing the stress relaxation in a double bracing coating art

机译:在双支撑涂层技术中具有减小应力松弛的保护层的方法和半导体器件

摘要

By providing a protective layer for suppressing a bracing relaxation in a tensile-strained dielectric material during a dual bracing layer process, the performance of n - transistors can be improved, and wherein, nevertheless, a high degree of compatibility with conventional dual bracing layer projections is maintained.
机译:通过提供用于在双支撑层工艺期间抑制拉伸应变的介电材料中的支撑松弛的保护层,可以改善n-晶体管的性能,并且其中尽管如此,其与常规双支撑层凸起的相容性很高。被维持。

著录项

  • 公开/公告号DE102007057686A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20071057686

  • 发明设计人

    申请日2007-11-30

  • 分类号H01L21/8238;H01L27/092;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:09:31

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