要解决的问题:提供背接触单异质结型太阳能电池及其制造方法。
解决方案:首先,在该太阳能电池的制造方法中,提供了以低浓度掺杂有第一掺杂剂型的第一半导体基板。衬底具有第一能带隙。接下来,在基板的背面的区域中,形成第二半导体膜。第二半导体膜具有大于第一能带隙的第二能带隙。在衬底的表面上,形成第三半导体层,该第三半导体层以中等浓度掺杂有第一掺杂剂,并且经过小的凸凹处理。在衬底的背面上,形成有掺杂有第二掺杂剂类型的发射极,该第二掺杂剂类型具有与高浓度的第一掺杂剂类型相反的极性,该掺杂剂的基极掺杂有高浓度的第一掺杂剂类型。基极和发射极彼此电连接。基极和发射极中的任何一个形成在基极和发射极上。
版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2010219527A
专利类型
公开/公告日2010-09-30
原文格式PDF
申请/专利权人 SHARP CORP;
申请/专利号JP20100050968
申请日2010-03-08
分类号H01L31/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:03:30