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Scanning Impedance Microscopy (SIM) To Map Local Impedance In A Dielectric Film

机译:扫描阻抗显微镜(SIM)映射介电膜中的局部阻抗

摘要

A scanning impedance microscopy device maps out local impedance in a dielectric film sample. This may be used to detect conductive filaments in a dielectric film, to characterize semiconductor interfaces, and to be used a reading scheme for resistive change memory such as RRAM.
机译:扫描阻抗显微镜设备可绘制出介电膜样品中的局部阻抗。这可用于检测介电膜中的导电细丝,表征半导体界面,并用于电阻式变化存储器(如RRAM)的读取方案。

著录项

  • 公开/公告号US2010295560A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUAN TRAN;

    申请/专利号US20080242730

  • 发明设计人 QUAN TRAN;

    申请日2008-09-30

  • 分类号G01R27/26;G01R27/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:13:22

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