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Mask blank, method of manufacturing an exposure mask, method of manufacturing a reflection type mask, and method of manufacturing the imprint template

机译:掩模坯料,制造曝光掩模的方法,制造反射型掩模的方法以及制造压印模板的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask blank in which a fine pattern can be formed with high pattern accuracy in manufacturing an exposure mask or the like.;SOLUTION: The mask blank having a thin film 12, 13 to form a pattern on a substrate 11 is to be subjected to a dry etching process applicable to the method of producing an exposure mask, the method including patterning the thin film by dry etching using an etching gas substantially containing no oxygen through a resist pattern 14a to be formed on the thin film as a mask. The thin film has a protective layer containing oxygen in at least 60 atomic % in at least an upper layer part. The dry etching process is carried out by using a chlorine-based gas substantially containing no oxygen.;COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种掩模坯料,其中在制造曝光掩模等时可以形成具有高图案精度的精细图案;解决方案:该掩模坯料具有薄膜12、13以在衬底上形成图案。将对基板11进行适用于制造曝光掩模的方法的干法蚀刻工艺,该方法包括通过使用基本上不含氧的蚀刻气体通过抗蚀剂图案14a通过将要形成在薄板上的抗蚀剂图案14a通过干法蚀刻对薄膜进行图案化。电影作为面具。该薄膜在至少上层部分具有包含至少60原子%的氧的保护层。干法蚀刻工艺是通过使用基本上不含氧气的氯基气体进行的。;版权所有:(C)2008,日本特许会计师事务所

著录项

  • 公开/公告号JP5009649B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HOYA株式会社;

    申请/专利号JP20070049084

  • 发明设计人 暮石 光浩;野澤 順;

    申请日2007-02-28

  • 分类号G03F1/50;G03F1/54;G03F1/68;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:39:12

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