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Method of applying the analysis of scrub mark morphology and location to the evaluation and correction of semiconductor testing, analysis, and manufacture

机译:将擦洗痕迹形态和位置的分析应用于半导体测试,分析和制造的评估和校正的方法

摘要

By examining scrub mark properties (such as position and size) directly, the performance of a wafer probing process may be evaluated. Scrub mark images are captured, image data measured, and detailed information about the process is extracted through analysis. The information may then be used to troubleshoot, improve, and monitor the probing process.
机译:通过直接检查擦洗标记特性(例如位置和尺寸),可以评估晶片探测过程的性能。捕获擦洗标记图像,测量图像数据,并通过分析提取有关该过程的详细信息。然后,该信息可用于故障排除,改进和监视探测过程。

著录项

  • 公开/公告号US8198906B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JOHN T. STROM;

    申请/专利号US20100828344

  • 发明设计人 JOHN T. STROM;

    申请日2010-07-01

  • 分类号G01R31/00;G06K9/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:30:25

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