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MEMORY SYSTEM CAPABLE OF SELECTING WRITING MODE OF DATA BLOCK ACCORDING TO WRITING PATTERN AND DATA WRITING METHOD THEREOF

机译:能够根据写入方式选择数据块写入方式的存储器系统及其数据写入方法

摘要

PURPOSE: A memory system and data wiring method thereof are provided to embody high speed data writing operations by effectively integrating a log block and a data block.;CONSTITUTION: A non-volatile memory apparatus(130) programs the data of an SLC(Single Level Cell) mode or a MLC(Multi-Level Cell) in a memory block. A memory control unit(120) controls the non-volatile memory apparatus according to an address mapping method in order to update a data block. The memory control unit determines the write mode of the merged data in a log block according to the writing pattern of the data which is updated in the log block. The memory control unit stores the updated data in the log block.;COPYRIGHT KIPO 2012
机译:目的:提供一种存储系统及其数据接线方法,以通过有效地集成日志块和数据块来体现高速数据写入操作。组成:非易失性存储装置(130)对SLC(Single)的数据进行编程级别单元)模式或存储块中的MLC(多层单元)。存储器控制单元(120)根据地址映射方法控制非易失性存储装置,以更新数据块。存储器控制单元根据在日志块中更新的数据的写入模式来确定日志块中的合并数据的写入模式。存储器控制单元将更新的数据存储在日志块中。COPYRIGHTKIPO 2012

著录项

  • 公开/公告号KR20120003282A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20100064048

  • 发明设计人 AHN SE JIN;JUNG SUNG WON;LEE TAE MIN;

    申请日2010-07-02

  • 分类号G06F12/06;G06F13/16;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:10:48

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