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Integrated circuit package including an embedded power stage wherein a first field effect transistor (FET) and a second FET are electrically coupled therein

机译:包括嵌入式功率级的集成电路封装,其中第一场效应晶体管(FET)和第二FET电耦合在其中

摘要

One aspect of the invention pertains to an integrated circuit package with an embedded power stage. The integrated circuit package includes a first field effect transistor (FET) and a second FET that are electrically coupled with one another. The FETs are embedded in a dielectric substrate that is formed from multiple dielectric layers. The dielectric layers are laminated together with one or more foil layers that help form an electrical interconnect for the package. Various embodiments relate to method of forming the above package.
机译:本发明的一个方面涉及一种具有嵌入式功率级的集成电路封装。该集成电路封装包括彼此电耦合的第一场效应晶体管(FET)和第二FET。 FET嵌入在由多个介电层形成的介电基板中。介电层与一个或多个箔层层压在一起,这些箔层有助于形成封装的电互连。各种实施例涉及形成上述包装的方法。

著录项

  • 公开/公告号US8524532B1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAJEEV JOSHI;

    申请/专利号US201213406257

  • 发明设计人 RAJEEV JOSHI;

    申请日2012-02-27

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:45:14

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