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A method for machining of a device with at least one electric layer structure and device assembly for the machining of a device with at least one electric layer structure

机译:一种用于加工具有至少一个电层结构的设备的方法和用于加工具有至少一个电层结构的设备的设备组件

摘要

In various embodiments, a method for processing of a device with at least one electric layer structure (208, 308, 408) is made available, wherein the electrical layer structure (208, 308, 408) a dielectric layer (202, 304, 404) in a physical contact with an electrically conductive layer (110, 204, 302, 402) and the electrical layer structure (208, 308, 408) a first electric conductivity, the method comprising: forming an electrical connection with the dielectric layer (202, 304, 404) of the electric layer structure (208, 308, 408); forming an electrical voltage curve on the electrical connection in such a way that a second electrical conductivity is formed; wherein the second electrical conductivity is greater than the first electrical conductivity; and wherein the electrical layer structure (208, 308, 408) according to the degradation of the electrical voltage curve the second electric conductivity.
机译:在各种实施例中,提供了一种用于处理具有至少一个电层结构(208、308、408)的器件的方法,其中,电层结构(208、308、408)是电介质层(202、304、404) )与导电层(110、204、302、402)和电层结构(208、308、408)物理接触第一导电性,该方法包括:与电介质层(202)形成电连接电层结构(208、308、408)的、、 304、404);在电连接上形成电压曲线,使得形成第二电导率;其中第二电导率大于第一电导率;其中,所述电层结构(208、308、408)根据所述电压的劣化曲线所述第二电导率。

著录项

  • 公开/公告号DE102012109208A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;

    申请/专利号DE201210109208

  • 发明设计人 PHILIPP SCHWAMB;ERWIN LANG;

    申请日2012-09-28

  • 分类号H01L51/56;H01L51/44;H01L21/66;G01R31/26;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 15:37:46

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