机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
nanosheet (NS); gate-all-around (GAA); channel release; parasitic channel; suppression;
机译:应变引起的栅极 - 全面垂直堆叠水平纳米片晶体管的变化研究
机译:垂直组合垫片,优化7-NM纳米晶闸门 - 全周晶体管的电热特性
机译:智能可穿戴设备混合结构纱的电气特性和信号传输特性
机译:用于PMOS堆叠纳米液门的SiGE包层通道的结构和电气演示
机译:具有硅界面钝化层的III-V MOS器件的电学特性研究。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:优化四层垂直堆叠水平门 - 全面的结构和电气特性 - 全周Si NanosheLs设备
机译:有机光伏器件中的碳纳米片和纳米结构电极:合作研究和开发最终报告,CRaDa编号CRD-08-321。