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soi. Semiconductor memory device

机译:所以我。半导体存储设备

摘要

A memory block area in a semiconductor memory includes program segments. Each program segment includes a group of memory cells arranged at positions where word lines and bit lines intersect and connected to a common source line. The word lines are shared by the program segments. At program operation time source line switches are used for supplying first voltage to a source line in a program segment, of the program segments, including a memory cell to be programmed and supplying second voltage to a source line in a program segment, of the program segments, not including the memory cell to be programmed.
机译:半导体存储器中的存储块区域包括程序段。每个程序段包括布置在字线和位线相交并连接到公共源极线的位置处的一组存储单元。字线由程序段共享。在编程操作时,源极线开关用于向包括程序段的程序段中的程序段中的源极线提供第一电压,并向程序段中的源极线提供第二电压。段,不包括要编程的存储单元。

著录项

  • 公开/公告号JP5983236B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社ソシオネクスト;

    申请/专利号JP20120210399

  • 发明设计人 竹内 淳;

    申请日2012-09-25

  • 分类号G11C16/02;G11C16/06;G11C16/04;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:42:47

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