首页> 外国专利> P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, P-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT, THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE, HEAT EXHAUSTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT

P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, P-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT, THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE, HEAT EXHAUSTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE THERMOELECTRIC ELEMENT

机译:P型半导体材料,P型热电元件,热电转换模块,排气装置,制造P型半导体材料的方法以及制造P型热电元件的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a strontium titanate-based p-type semiconductor material capable of exhibiting characteristics of a p-type thermoelectric material.;SOLUTION: The p-type semiconductor material is represented by SrTi1-xRhO3-δ, and satisfies 0.005x0.1 and 0δ0.06.;SELECTED DRAWING: None;COPYRIGHT: (C)2017,JPO&INPIT
机译:要解决的问题:要获得一种能够表现出p型热电材料特性的钛酸锶基p型半导体材料;解决方案:以SrTi 1-x 代表p型半导体材料。 Sub> RhO 3-δ,并满足0.005

著录项

  • 公开/公告号JP2017028146A

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHOWA DENKO KK;

    申请/专利号JP20150146736

  • 发明设计人 IMADA RYOKO;

    申请日2015-07-24

  • 分类号H01L35/22;H01L35/34;C01G23/00;C04B35/47;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:59:58

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