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Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same

机译:保形碳膜的形成方法,结构保形碳膜及其形成系统

摘要

Methods of forming carbon films, structures and devices including the carbon films, and systems for forming the carbon films are disclosed. A method includes depositing a metal carbide film using atomic layer deposition (ALD). Metal from the metal carbide film is removed from the metal carbide film to form a carbon film. Because the films are formed using ALD, the films can be relatively conformal and can have relatively uniform thickness over the surface of a substrate.
机译:公开了形成碳膜的方法,包括碳膜的结构和装置以及用于形成碳膜的系统。一种方法包括使用原子层沉积(ALD)来沉积金属碳化物膜。从金属碳化物膜中去除金属碳化物膜中的金属以形成碳膜。因为使用ALD形成膜,所以膜可以是相对保形的并且可以在基板的表面上具有相对均匀的厚度。

著录项

  • 公开/公告号US9605343B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASM IP HOLDING B.V.;

    申请/专利号US201314079302

  • 发明设计人 JERELD LEE WINKLER;

    申请日2013-11-13

  • 分类号C01B31/04;C23C16/455;C23C16/01;C23C16/56;C01B31/02;C23C16/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:42:50

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