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PRODUCTION METHOD OF SiC-COATED SILICEOUS MATERIAL, AND SiC-COATED SILICEOUS MATERIAL

机译:SiC被覆硅质材料的制造方法以及SiC被覆硅质材料

摘要

To provide a production method of a SiC-coated siliceous material capable of forming a strong CVD-SiC coating on a silicon or siliceous substrate.SOLUTION: A production method of a SiC-coated siliceous material comprises the first membrane production step for coating a siliceous substrate with the first SiC layer at a temperature of 1,150°C or lower, and the second membrane production step for coating the siliceous substrate with the second SiC layer by a CVD method at a temperature of 1,200-1,400°C.SELECTED DRAWING: Figure 2
机译:提供一种能够在硅或硅质基底上形成坚固的CVD-SiC涂层的SiC涂层硅质材料的生产方法。解决方案:SiC涂层硅质材料的生产方法包括用于涂覆硅质材料的第一个膜生产步骤具有第一SiC层的温度在1,150°C或更低的温度下的基底,以及用于在1200至1,400°C的温度下通过CVD方法用第二SiC层涂覆硅质基底的第二膜生产步骤。 2

著录项

  • 公开/公告号JP2019157204A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IBIDEN CO LTD;

    申请/专利号JP20180045520

  • 发明设计人 ISHIBASHI YUKI;

    申请日2018-03-13

  • 分类号C23C16/42;C04B41/87;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:25:17

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