化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

摘要

【課題】優れたフォーカスマージンで、厚膜のレジストパターンを製造することができる化合物及びレジスト組成物を提供することを目的とする。【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物及びこの化合物を含むレジスト組成物。［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ａｒは、置換基を有してもよい２価の芳香族炭化水素基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－又は－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－を表す。Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１～１８の２価の炭化水素基を表し、該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－Ｓ－等に置き換わっていてもよい。Ｗ^１は、炭化水素環を表し、該炭化水素環に含まれる－ＣＨ_２－は、－Ｏ－等に置き換わっていてもよい。ｎは、１～３のいずれかの整数を表す。Ｒ^３は、フッ素化炭化水素基等を表す。］【選択図】なし