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非极性(Al,B,In,Ga)N量子阱

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本发明公开一种制作非极性a-平面GaN/(Al，B，In，Ga)N多量子阱(MQW)的方法。a-平面MQW通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在适当的GaN/蓝宝石模板层上生长，阱宽度范围介于20至70之间。来自a-平面MQW的室温光致发光(PL)发射能量遵循一使用自相容泊松薛定谔(self-consistent Poisson-Schrodinger，SCPS)计算来建模的方阱趋势。在a-平面MQW的量子阱宽度为52时获得最佳PL发射强度。

著录项

公开/公告号CN1894771B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人加利福尼亚大学董事会;独立行政法人科学技术振兴机构;
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申请/专利号CN200380110999.5
发明设计人迈克尔·D·科雷文;斯蒂芬·P·登巴尔斯;
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申请日2003-12-11
分类号H01L21/00(20060101);H01L21/20(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方;刘国伟
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:10:17

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-26

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20120704 终止日期:20161211 申请日:20031211

专利权的终止
2013-12-11

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20131120 申请日:20031211

专利申请权、专利权的转移
2013-12-11

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20131120 申请日:20031211

专利申请权、专利权的转移
2012-07-04

授权

授权
2012-07-04

授权

授权
2007-03-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-03-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-10

公开

公开
2007-01-10

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