一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法

摘要

一种晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点及其制备方法，它涉及一种稀磁半导体量子点及其制备方法。它解决了目前钴离子掺杂量子点的方法都无法将钴离子掺杂到CdS量子点晶格内部，无法得到晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点的问题。晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点是钴离子掺杂摩尔浓度为0.076～0.185的CdS量子点。制备方法：一、十六烷基胺真空脱气；二、降温在氮气氛条件下将(Me₄N)₄[S₄Cd₁₀(SPh)₁₆]和(Me₄N)₂[Co₄(SC₆H₅)₁₀]加入，然后升温；三、待达到设定颗粒尺寸，降温；四、离心分离、沉淀物再真空干燥；五、表面配体交换。本发明晶格内部掺杂钴离子的CdS量子点在室温条件下兼具荧光和磁性双重特性。