首页> 中国专利> 对光刻衬底上的正色调抗蚀剂层进行构图的方法

对光刻衬底上的正色调抗蚀剂层进行构图的方法

摘要

提供一种单曝光方法和双曝光方法,以减少掩模误差因子并提高光刻印刷步骤分辨率。本发明包括使用正色调抗蚀剂,将具有稠密线和间隙的需要图案分解为印刷在交错位置的半稠密间隙的两个子图案。每次曝光都在对两个半稠密间隙的相应掩模图案施加相对间隙宽度扩展之后执行。表示间隙宽度扩展的因子具有1到3之间的值,从而减少掩模误差因子和线边粗糙。

著录项

  • 公开/公告号CN1945444B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN200610160503.0

  • 发明设计人 J·M·芬德斯;

    申请日2006-10-08

  • 分类号G03F7/20(20060101);H01L21/027(20060101);G03F7/039(20060101);G03F7/26(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人王波波

  • 地址 荷兰费尔德霍芬

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20120425 终止日期:20141008 申请日:20061008

    专利权的终止

  • 2012-04-25

    授权

    授权

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-11

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号