公开/公告号CN1945444B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-25
原文格式PDF
申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;
申请/专利号CN200610160503.0
发明设计人 J·M·芬德斯;
申请日2006-10-08
分类号G03F7/20(20060101);H01L21/027(20060101);G03F7/039(20060101);G03F7/26(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址 荷兰费尔德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:09:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-11-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20120425 终止日期:20141008 申请日:20061008
专利权的终止
2012-04-25
授权
授权
2008-10-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-04-11
公开
公开
机译: 通过对负抗蚀剂层和正抗蚀剂层分别进行构图以及相应的蚀刻步骤来制造衰减相移光掩模的方法,该蚀刻步骤用于在透明基板上形成下层光屏蔽层和相移层
机译: 构图覆盖光刻衬底的正型抗蚀剂层的方法
机译: 构图覆盖光刻衬底的正型抗蚀剂层的方法