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InAs/InP量子点纠缠光源及远程光纤通信系统

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摘要

本发明公开了一种InAs/InP量子点纠缠光源及远程光纤通信系统，纠缠光源采用InAs/InP量子点，其激子具有很小的精细结构，在-4到6微伏，易产生纠缠光，量子计算、通讯的可靠性与安全性高；InAs/InP量子点的发光谱在1.55微米左右，可适用于光纤远程通讯。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-10-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20120125 终止日期:20150902 申请日:20090902

专利权的终止
2012-01-25

授权

授权
2010-03-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-02-03

公开

公开

1. InAs/InP量子点纠缠光源及远程光纤通信系统 [P] . 中国专利： CN101640243B . 2012.01.25
2. 一种基于量子点的可级联纠缠光源及远程量子通讯系统 [P] . 中国专利： CN105070803B . 2017.08.29
3. InP/ZnS - InP/ZnS - METHOD FOR MANUFACTURING InP/ZnS CORE-SHELL QUANTUM DOTS AND InP/ZnS CORE-SHELL QUANTUM DOTS USING THEREOF [P] . 韩国专利： KR102151096B1 . 2020-09-02

机译： InP / ZnS-InP / ZnS-用其制造InP / ZnS核壳量子点和InP / ZnS核壳量子点的方法
4. InP InP/ZnS / METHOD OF PREPARING InP QUANTUM DOT AND METHOD OF PREPARING InP/ZnS CORE/SHELL QUANTUM DOT [P] . 韩国专利： KR101907096B1 . 2018-10-11

机译： InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法
5. InP InP/ZnS / METHOD OF PREPARING InP QUANTUM DOT AND METHOD OF PREPARING InP/ZnS CORE/SHELL QUANTUM DOT [P] . 韩国专利： KR20180018036A . 2018-02-21

机译： InP InP / ZnS / InP量子点的制备方法和InP / ZnS核/壳量子点的制备方法