公开/公告号CN102157361B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201010605875.6
申请日2010-12-15
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:09:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20120321 终止日期:20121215 申请日:20101215
专利权的终止
2012-03-21
授权
授权
2011-09-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20101215
实质审查的生效
2011-08-17
公开
公开
机译: 形成t型栅电极的方法和使用该t型栅电极形成具有t型栅电极的MOS晶体管的方法
机译: 具有埋入式栅电极和元件隔离膜的半导体和半导体制造方法,采用了同时形成埋入式栅电极和元件隔离膜的自对准双重刻蚀技术
机译: 具有t型栅电极的半导体器件的制造方法