公开/公告号CN101809710B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;
申请/专利号CN200880108693.9
申请日2008-09-23
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/26(20060101);H01L21/324(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/205(20060101);C30B25/02(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;靳强
地址 法国贝尔尼
入库时间 2022-08-23 09:08:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 授权公告日:20120111 终止日期:20180923 申请日:20080923
专利权的终止
2014-10-15
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/20 变更前: 变更后: 申请日:20080923
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-10-15
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 申请日:20080923
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-01-11
授权
授权
2012-01-11
授权
授权
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20080923
实质审查的生效
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20080923
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
2010-08-18
公开
公开
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机译： 用于制造包括沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法
机译： 制备包括衬底的复合材料的方法，第一化合物气相沉积在衬底上，形成第一层，第二层通过蒸气三嗪化合物层沉积在第一衬底上，其中对第一层进行阶梯式负载力学。
机译： 半导体结构的制造方法，包括在包含钼的衬底的基本平坦的表面上形成氮化钼，以及在衬底的基本平坦的表面上提供氮化镓层。
