公开/公告号CN101809726B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 维西埃-硅化物公司;
申请/专利号CN200880109079.4
申请日2008-10-02
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陈晓帆
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:08:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-01-04
授权
授权
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20081002
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
机译: MOSFET有源区和边缘终止区电荷平衡
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