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4T CMOS成像器像素中的暗电流和溢出抑制方法和设备

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摘要

本发明提供一种用于操作成像器像素的方法和设备，其包含以下动作：在电荷汇集周期期间在转移晶体管的栅极上施加相对较小的第一极性电压和多个第二极性电压的脉冲。

1. 4T CMOS成像器像素中的暗电流和溢出抑制方法和设备 [P] . 中国专利： CN101171828B . 2011.09.21
2. 减小成像器件中暗电流和有缺陷的像素的影响的方法和设备 [P] . 中国专利： CN100423541C . 2008.10.01
3. Method and apparatus for dark current and blooming supression in 4T CMOS imager pixel [P] . 美国专利： US8278131B2 . 2012-10-02

机译： 4t CMOS成像器像素中暗电流抑制和晕染的方法及装置
4. Method and apparatus for dark current and blooming suppression in 4T CMOS imager pixel [P] . 美国专利： US8021908B2 . 2011-09-20

机译： 4t CMOS成像器像素中暗电流抑制和晕染的方法及装置
5. Method and apparatus for dark current and blooming suppression in 4T CMOS imager pixel [P] . 美国专利： US7851798B2 . 2010-12-14

机译： 4t CMOS成像器像素中暗电流抑制和晕染的方法及装置