公开/公告号CN101740360B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200910241698.5
申请日2009-12-02
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:07:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 授权公告日:20111012 终止日期:20141202 申请日:20091202
专利权的终止
2011-10-12
授权
授权
2010-09-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20091202
实质审查的生效
2010-06-16
公开
公开
机译: 通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译: 掺杂Mg的III族氮化物半导体的P型导电性的提高方法及P型III族氮化物半导体的制造方法
机译: 用于增加将烷基芳族烃脱氢为烯基芳族烃的烯基芳族烃生产单元的脱氢区的效率的方法,以及用于提高在烯基芳族烃的脱氢区中烷基芳族烃向烯基芳族烃的脱氢效率的系统生产单位