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锁存反向电路与使用其的触发器与双锁存数据触发器

摘要

一种锁存反向电路与使用该锁存反向电路的触发器与双锁存数据触发器。锁存反向电路包含一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管、一第一电平调整单元、以及一第二电平调整单元。该锁存锁存反向电路利用第一电平调整单元与第二电平调整单元事先调整第二PMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的漏极的电平,藉以提升锁存反向电路的反应速度。

著录项

  • 公开/公告号CN1741387B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞昱半导体股份有限公司;

    申请/专利号CN200410057911.4

  • 发明设计人 吕昭信;

    申请日2004-08-26

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人蒲迈文

  • 地址 中国台湾新竹科学园区

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-09

    授权

    授权

  • 2007-10-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-03-01

    公开

    公开

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