退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN101371564B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN200780002339.3
发明设计人 罗格·帕尼卡奇;
申请日2007-01-08
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 09:07:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-10
授权
2009-04-15
实质审查的生效
2009-02-18
公开
机译: 提供用于成像器中的电子稳定的像素存储栅极电荷感测的方法和装置
机译:通过接近电荷感测像素在Cdznte半导体检测器中进行位置感测
机译:基于双栅极金属 - 氧化物半导体场效应晶体管的电容无电动随机接入存储器,具有Si / SiGe异质结和下划线结构,提高感测余量和保留时间
机译:用于视网膜假体的0.8V 4096像素CMOS感测和成像器
机译:使用栅极感测和通道传感(GSCs)方法研究电荷捕获装置的擦除机理:空穴注射或电子脱击?
机译:基于压缩感测的单像素成像系统
机译:电子门禁成像设备(EPID)的像素图灵敏度(PMS)评估的新方法
机译:图像信号累积多收集栅极图像传感器以25 MFP在32×32像素和1220个像素帧存储器中操作
机译:用于最小化图像和位置感测检测器中的误差源的方法和结构