法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-02-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/581 授权公告日:20110615 终止日期:20111211 申请日:20081211
专利权的终止
2011-06-15
授权
授权
2009-07-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-05-13
公开
公开
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法