法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-03-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C22C 38/00 授权公告日:20110330 终止日期:20140120 申请日:20090120
专利权的终止
2011-03-30
授权
授权
2010-06-16
著录事项变更 IPC(主分类):C22C 38/00 变更前: 变更后: 申请日:20090120
著录事项变更
2009-09-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-07-08
公开
公开
机译: 具有软相邻层的AMR传感器,具有高磁化强度,高电阻率,低固有各向异性和接近零的磁致伸缩
机译: 具有软相邻层的磁阻传感器,具有高磁化强度,高电阻率,低固有各向异性和接近零的磁致伸缩
机译: 磁阻传感器,具有柔软的相邻层,具有高磁化强度,高电阻率,低固有各向异性和接近零的磁致伸缩